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產(chǎn)品概述

型號(hào) RH6P040BHTB1
廠家/品牌 LAPIS Technology
產(chǎn)品描述 NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
數(shù)據(jù)庫(kù)
RoHs狀態(tài)
庫(kù)存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 5885 pcs

參考價(jià)格(美元)
1
$0.904

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產(chǎn)品特性

  • 型號(hào)RH6P040BHTB1
  • 制造商LAPIS Technology
  • 描述NCH 100V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)5885 pcs Stock
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大Rds開，最小Rds開）6V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1080 pF @ 50 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）40A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）100 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs16.7 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度150°C (TJ)
  • 封裝/箱體8-PowerVDFN
  • 安裝類型Surface Mount
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）59W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-HSMT (3.2x3)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • Vgs（最大）±20V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識(shí)4V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識(shí)，柵極電壓15.6mOhm @ 40A, 10V
  • FET特點(diǎn)-
  • FET型N-Channel

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