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  • RCD075N19TL Image
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產(chǎn)品概述

型號 RCD075N19TL
廠家/品牌 LAPIS Technology
產(chǎn)品描述 MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
數(shù)據(jù)庫
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 1 pcs

參考價格(美元)
1
$1.09

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產(chǎn)品特性

  • 型號RCD075N19TL
  • 制造商LAPIS Technology
  • 描述MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
  • 產(chǎn)品分類46
  • 產(chǎn)品狀態(tài)1 pcs Stock
  • 驅(qū)動電壓（最大Rds開，最小Rds開）4V, 10V
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1100 pF @ 25 V
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->Single FETs, MOSFETs
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）7.5A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）190 V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs30 nC @ 10 V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度150°C (TJ)
  • 封裝/箱體TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號RCD075
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率耗散（最大）850mW (Ta), 20W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝CPT3
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Not For New Designs
  • Vgs（最大）±30V
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識2.5V @ 1mA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓336mOhm @ 3.8A, 10V
  • FET特點-
  • FET型N-Channel

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